Intel指出，正在供给改良的精度和出产力方面的手艺可行性，为High NA EUV设备将来的大量制制奠基了根本。

　　新系统还正在Intel过去一年多对High-NA EUV光刻设备的利用经验之上，提拔了套刻精度达到了0。7nm。

　　此前，Intel曾于2023岁尾领受了首套High-NA EUV机型EXE！5000，并正在俄勒冈州的Fab D1X工场完成了晚期手艺研发取人才储蓄。

　　Intel暗示，High-NA EUV光刻设备是其晶圆代工中的主要能力，连系了本身正在掩模、蚀刻、解析度加强和计量等相关范畴的技术，告竣了当今芯片所需的更精细晶体管细节。